面向SiC、IGBT等第三代半导体模块封装的高性能基板。
通过Ag-Cu-Ti活性钎焊体系实现铜层与陶瓷界面的高强度结合，兼顾导热性能与热循环寿命。
氮化硅陶瓷基材兼顾高导热与机械可靠性。
活性钎焊体系实现铜层与陶瓷界面的高强度结合。
适用于SiC、IGBT等第三代半导体功率模块封装与高功率热管理场景。
自主开发核心膏体并匹配高导热氮化硅陶瓷基材。
围绕 Ag-Cu-Ti 活性钎焊体系优化界面结合。
支持功率模块所需铜层图形与结构加工。
覆盖结合强度、导热与热循环等关键指标验证。
围绕高导热氮化硅陶瓷基材、自研核心膏体与活性钎焊工艺，提供清晰的性能指标和应用支持。
