AMB2.0 氮化硅陶瓷基板

产品采用自主开发的氮化硅陶瓷核心膏体配方与活性钎焊工艺，依托高导热Si₃N₄陶瓷基材，实现铜层与陶瓷界面的高强度结合。

• 结合强度：>18 N/mm
• 导热率：>90 W/(m·K)
• 热循环：>500,000 次（-55°C—175°C）

适用于SiC、IGBT等第三代半导体功率模块封装，以及对高导热、高功率密度和长期可靠性有要求的应用。

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